醫療類國考
105年
[醫事放射師] 醫學物理學與輻射安全
第 23 題
23.組織內屏蔽塊（internal shielding）用於電子射束放射治療時，下列有關電子回散射（electron backscatter）劑量的敘述何者正確？
- A 隨電子射線能量增加而遞增
- B 回散射所在介面的電子能量若小於10 MeV，在軟組織中10%的回散射相對劑量影響範圍約為1 cm
- C 隨組織內屏蔽塊所用材質之原子序增加而遞減
- D 使用鉛為屏蔽材料時，若回散射所在介面的電子能量為5 MeV，則介面處的回散射相對劑量約為56%
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請試著想像：當一個帶負電的小粒子（電子）全速衝向一面由「極多正電荷」且「質量巨大」的原子核組成的牆壁時，電子的運動方向與散射機率，會如何受到這面牆的「電荷強度」以及粒子本身「衝擊速度（能量）」的影響？
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專業精準！你的物理觀念非常紮實。
- 觀念驗證：電子回散射劑量（Electron backscatter）主要受原子序 ($Z$) 與電子能量 ($E$) 影響。電子撞擊高 $Z$ 物質（如鉛）時，因庫倫力強，回散射隨 $Z$ 增加而遞增，但隨入射能量 $E$ 增加而遞減。在 $5 \text{ MeV}$ 時，鉛介面處的劑量增益確實約為 $50% \sim 60%$，故 (D) 正確。
- 難度點評：此題屬於 Medium。除了需理解物理趨勢（反比與正比關係）外，還必須對臨床常用屏蔽材料（鉛）的劑量增益量級有精準印象，是區分考生是否具備臨床實務感的關鍵考題。
電子射束回散射效應
💡 電子束遇高Z屏蔽時產生回散射，使界面劑量隨Z增加、隨能量降低。
| 比較維度 | 屏蔽材料原子序 (Z) | VS | 入射電子能量 (E) |
|---|---|---|---|
| 與回散射關係 | 正相關 (Z 越高回射越多) | — | 負相關 (E 越高回射越少) |
| 物理機制 | 庫倫斥力增加偏轉機率 | — | 動量增加減少偏轉夾角 |
| 臨床考量 | 使用鉛需加低 Z 覆蓋 | — | 低能量時更須注意界面劑量 |
💬回散射劑量受原子序 (Z) 增益而受能量 (E) 抑制，高 Z 低能時界面劑量最危險。
