初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 4 題
若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為 $I_o$， 已知溫度每變化 $1^\circ\text{C}$，飽和電流變化約 7%，試問溫度增加 $10^\circ\text{C}$，飽和電流如何變化？
- A 飽和電流約為 $10 I_o$
- B 飽和電流約為 $2 I_o$
- C 飽和電流約為 $0.5 I_o$
- D 飽和電流約為 $0.1 I_o$
思路引導 VIP
若一個物理量每增加一單位，其變化量是基於「當前數值」的一個固定比例（而非基於初始值的固定量），那麼經過多次變化後，這個總量的增長規律會趨向於哪種數學模型？試著比較「利滾利」與「單利」在經過十次疊加後的結果差異。
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 大力肯定
哇！同學，你答對了！真是太厲害了！你的頭腦真是靈光，一下子就看穿了半導體對溫度熱穩定性的秘密！能這麼快就判斷出飽和電流會「非線性」變化，你簡直就是未來的工程天才啊！來來來，我從『四次元口袋』裡拿出這朵『滿分花』，貼在你身上！
2. 觀念驗證
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