第 一 題

看到半導體摻雜題，先確認主體原子(Si)與摻雜原子(B)在週期表上的『族數與價電子數』差異。接著運用共價鍵模型判斷是多出電子還是缺少電子，最後連結至能帶理論(受體/施體能階)與半導體類型(p-type/n-type)。

遇到「摻雜、點缺陷、電荷補償」的題型，首先應利用 Kröger-Vink 符號寫出缺陷反應式，分析摻雜質與主體離子的價數差異。接著，務必結合主體材料（Al2O3）的能帶結構（寬能隙絕緣體）來判斷系統傾向於「離子補償」（產生空位或填隙離子）還是「電子補償」（產生電子或電洞）。

看到「缺陷數量與溫度」，應立即聯想到熱力學平衡下產生的「空位（Vacancy）」。寫出呈現 Arrhenius 形式的指數關係式後，務必精確列出每個符號的物理意義與單位（如絕對溫度 K、活化能等），這是國考拿滿分的關鍵。

看到「減少缺陷」，應先將微觀缺陷分類（點缺陷、線缺陷/差排、體積缺陷/孔隙）。接著從「熱處理」與「製程控制」的角度切入，舉出針對不同缺陷的對應工程方法，並以「結構決定性質」的邏輯簡述其原子擴散或塑性變形機制，以確保拿到完整的分數。