高考申論題
109年
[材料工程] 材料科學與工程
第 三 題
當金屬積層製造於n型半導體材料上，界面能帶結構常形成蕭基式接面（Schottky contact）或歐姆接面（Ohmic contact），請分別畫出這兩種接面。（20分）
📝 此題為申論題
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本題核心在於評量金屬與半導體接觸時的能帶對齊與熱力學平衡機制。解題時應先指出兩種接面的形成條件（金屬功函數與半導體功函數的相對大小），接著運用『熱平衡時費米能階必須對齊』的準則推導出電子的轉移方向，最後繪製並解釋能帶的彎曲情況（向上彎曲形成空乏區與障壁，向下彎曲形成累積區）。
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【破題】 金屬與半導體接觸時，因兩者功函數（Work function）差異，為達成熱力學平衡（費米能階對齊），會在界面處發生電荷轉移，進而造成半導體端的能帶彎曲，形成具整流特性的「蕭基接面」或具線性導電特性的「歐姆接面」。 【論述】
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