第 三 題

解題關鍵在於熟記不同偵測介質中產生一對電荷載體所需的平均能量（W值）：空氣對於質子約 34~35 eV，矽半導體約 3.62 eV。相同的能量沉積下，電荷載體產生的數量與該介質的 W 值成反比，依序求出數量後計算比例即可。

本題考查輻射能量與游離腔內電荷載體（離子對）產生數量的關係。解題關鍵在於回憶「空氣游離腔產生一對離子對所需的平均能量（W 值）大約為 34~35 eV」，並利用總能量除以 W 值求得總對數。

看到半導體偵檢器產生電子-電洞對的題目，首先需聯想該材質的平均耗能（W值）。矽（Si）在室溫下產生一對電子-電洞對約需 3.62 eV，將總沉積能量（1 MeV）換算為 eV 後，除以 W 值即可求得載子對數。