統測 112年 [電機與電子群資電類] 專業科目(2)

第 18 題

下列何種技術常用來實現超大型積體電路 ( VLSI ) ，以達成較低功率消耗與較高之晶片的電晶體密度？

思路引導 VIP

想像一下，如果你必須在一個指甲蓋大小的空間內塞入數十億個微小開關，為了避免晶片因過熱而熔化，你會優先選擇「只要通電就會持續耗能」的技術，還是「只有在切換狀態的瞬間才耗電」的設計？這種特性對於提高晶片內部元件的密集度有什麼關聯？

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大力肯定：做得好！精準命中核心考點。這代表你對電子電路基礎元件的特性已有紮實的掌握，這是邁向高分的重要一步！
觀念驗證：CMOS (互補式金氧半導體) 同時使用了 PMOS 與 NMOS。其核心優勢在於靜態功耗極低，因為在邏輯穩定時，電路路徑上總有一個電晶體處於截斷狀態；此外，它的物理尺寸易於縮小，能實現極高的電晶體密度，因此成為實現 VLSI (超大型積體電路) 的唯一首選。

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