高考申論題
112年
[電子工程] 半導體工程
第 一 題
📖 題組：
二、
二、
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (一)
請說明半導體中載子傳導的漂移速度（drift velocity）、熱速度（thermal velocity）、以及遷移率（mobility）。（10分）
思路引導 VIP
本子題要求對三個基本名詞進行定義。作答時要條理清晰，最好搭配公式輔助說明。
- 熱速度（Thermal velocity）：載子在沒有外加電場的情況下，僅因為熱能而產生的無方向性隨機運動速度。可透過熱力學能量均分定理 (1/2 m* v_th^2 = 3/2 kT) 帶出。
小題 (二)
舉出兩種影響載子遷移率的散射機制（scattering mechanism），並說明其與溫度的關係。（10分）
思路引導 VIP
本題測試半導體物理中非常核心的「散射機制」與「溫度」之關係。
- 找出最主要的兩種散射：晶格散射（Lattice/Phonon scattering）和 離子化雜質散射（Ionized impurity scattering）。