112年高考申論題 — 半導體工程

共 6 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、Si 與 Ge 都是鑽石結構，其晶格常數分別為 5.43Å 與 5.66Å。有一由 Si 與 Ge 組成的合金半導體 Si0.9Ge0.1，問該合金半導體的… › 第二題 二、 2 小題 › 第三題 三、考慮一個陡峭（abrupt）P+N接面，兩邊的雜質濃度分別為NA與ND；NA>>ND。若接面處於平衡狀態，請由載子擴散、復合的觀點來說明接面空乏區（depl… › 第四題 四、考慮一個NPN雙極性電晶體，若將其操作在主動區，其射基極接面與集基極接面的電壓應如何安排？以基極為零電壓參考點說明之。就主動區操作之該電晶體，畫出能帶對空間… › 第五題 五、矽的 Deal-Grove 熱氧化模型公式：D2 + A D = Bt，公式中 D 為氧化層厚度、t 為氧化時間、A 與 B 為參數。求氧化速率 dD/dt… ›