112年高考申論題 — 半導體工程

共 11 題 · 含 AI 詳解

第一題 請分別敘述在外質半導體中何謂「完全解離(complete ionization)」及「凍結(freeze-out)」?(10分) 2 小題 › 第二題 請輔以數學表示式說明影響半導體「漂移電流密度(drift current density)」之因素為何?(5分) 2 小題 › 第三題 請以數學表示式定義 p-n 接面之「內建電位(Vbi, built-in potential)」。(5分) 2 小題 › 第四題 請敘述「基極寬度調變效應(base width modulation effect)」,並說明其對於BJT 輸出電導(go)之影響。(10分) 2 小題 › 第五題 若分別以介電層 Ta2O5及SiO2作為電容,且 Ta2O5:SiO2 之厚度比2:1、面積比為3:1,試求其電容比?(5分) 2 小題 › 第六題 六、矽 p-n 接面在 T=300 K 之施體雜質與受體雜質濃度分別為ND=1015 cm-3 及ND=1016 cm³,且未施加電壓;本質載子濃度 n₁=1.… ›