高考申論題
112年
[電子工程] 半導體工程
第 四 題
四、考慮一個NPN雙極性電晶體，若將其操作在主動區，其射基極接面與集基極接面的電壓應如何安排？以基極為零電壓參考點說明之。就主動區操作之該電晶體，畫出能帶對空間的概要圖，並在圖上標出各項電子、電洞之擴散電流以及復合電流。並由這些電流來定義注入效率（injection efficiency）以及傳輸因子（transport factor）。（20分）
📝 此題為申論題
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本題測驗BJT（NPN型）在順向主動區的基本操作原理與電流組成。
- 電壓安排（Bias condition）：主動區（Forward Active）的定義是射-基極（EBJ）順向偏壓，集-基極（CBJ）逆向偏壓。題目指定基極(B)為0V，則對於NPN而言，射極(E，N型)需為負電壓（V_E < 0），集極(C，N型)需為正電壓（V_C > 0）。
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【考點分析】 本題測驗 NPN 雙極性接面電晶體（BJT）在主動區的偏壓條件、能帶圖結構、內部微觀電流成分（擴散與復合），以及兩個核心效能參數（注入效率與傳輸因子）的物理定義。 【分析與論述】
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