高考申論題
112年
[電子工程] 半導體工程
第 一 題
一、Si 與 Ge 都是鑽石結構，其晶格常數分別為 5.43Å 與 5.66Å。有一由 Si 與 Ge 組成的合金半導體 Si0.9Ge0.1，問該合金半導體的晶格結構為何？說明其晶格結構的構造。此合金半導體的晶格常數為多少？其中的 Si 與 Ge 的原子濃度又各為多少？（20 分）
📝 此題為申論題
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本題主要考驗考生對於半導體晶格結構的基本認知，以及如何應用「維加定律（Vegard's Law）」來計算合金半導體的物理特性。思考步驟如下：
- 結構判定：已知Si與Ge均為鑽石結構，兩者完全互溶形成的合金（SiGe）仍會維持相同的晶格型態，屬於替代性固溶體。
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【考點分析】 本題考查半導體材料的晶體學基礎，包含鑽石結構的特徵、合金半導體的維加定律（Vegard's Law）應用，以及單位晶格體積與原子濃度的計算。 【理論/法規依據】
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