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普考申論題 113年 [電力工程] 電子學概要

第 四 題

四、如圖三之反相器(inverter)數位電路中,當 vI=5 V 時,試求該反相器之輸出電壓(vO)與功率損耗(P)。(25 分)
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📝 此題為申論題

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  1. 看到 NMOS 電阻負載反相器,先判斷當輸入 $v_I = 5\text{ V}$ 時電晶體的工作區域。因輸入為高電位會使 NMOS 導通並將輸出電壓拉低,可合理推測其處於線性區(可先假設飽和區以驗證是否產生矛盾)。
  2. 透過 KVL 寫出輸出節點的方程式 $V_{DD} = I_D R_D + v_O$,將其與 NMOS 線性區電流公式聯立,解一元二次方程式即可得到輸出電壓 $v_O$。
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【解題關鍵】先假設 NMOS 工作於飽和區並驗證是否矛盾以確認其處於線性區,接著聯立 KVL 方程式與線性區電流公式解出輸出電壓 $v_O$ 與功耗。 【解答】 Step 1:判斷 NMOS 增強型電晶體之工作區域

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📝 NMOS 反相器直流分析
💡 判斷 NMOS 工作區間後,聯立電流公式與迴路方程式求解輸出。

🔗 NMOS 反相器解題因果鏈

  1. 1 判定導通 — 確認 Vgs > Vtn 始可進入放大或線性區
  2. 2 假設驗證 — 假定飽和區求 Vds,若 Vds < Vov 則假設錯誤
  3. 3 線性區計算 — 使用線性區電流公式與 KVL 方程式聯立
  4. 4 求解合理化 — 由公式解求 Vo,並剔除大於電源電壓之不合理值
🔄 延伸學習:延伸學習:從此分析可推導數位電路之雜訊容限(Noise Margin)
🧠 記憶技巧:一判導通、二假飽和、三列方程、四求功耗。
⚠️ 常見陷阱:最常見錯誤是未驗證飽和區假設而直接計算;其次是解一元二次方程式時,未依物理意義(Vo 不得大於 Vdd)剔除不合理根。
NMOS 特性曲線 CMOS 反相器轉移特性 電晶體作為開關之邏輯電路

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