免費開始練習
地特三等申論題 114年 [電信工程] 電子學

第 二 題

📖 題組:
三、圖三為一個基本的 NMOS 場效電晶體(Field Effect Transistor, FET)差動放大器(Differential Amplifier)電路,$Q_1$與$Q_2$完全匹配(Perfectly Match),輸入訊號為差動輸入形式。$Q_1$與$Q_2$的參數如下:$g_{m1} = g_{m2} = 2\text{ mA/V}$,$C_{gs1} = C_{gs2} = 10\text{ fF}$,$C_{gd1} = C_{gd2} = 2\text{ fF}$,$C_{db1} = C_{db2} = 5\text{ fF}$,$r_{o1} = r_{o2} = 15\text{ k}\Omega$。電路部分,$R_{D1} = R_{D2} = 30\text{ k}\Omega$,$R_{sig} = 25\text{ k}\Omega$。請計算此電路的:
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (二)

(二)零點(Zero)頻率。(5 分)
題目圖片

思路引導 VIP

這是一道送分題。在共源極 (CS) 放大器的高頻模型中,閘極到汲極的寄生電容 $C_{gd}$ 會提供一條前饋路徑 (Feedforward Path)。在特定頻率下,通過 $C_{gd}$ 前饋的電流與主放大器 $g_m$ 產生的電流大小相等、方向相反,導致輸出為零,這就會在右半平面 (Right-Half Plane, RHP) 產生一個傳遞函數零點。公式固定為 $\omega_z = g_m / C_{gd}$,只要直接代入計算即可。

🤖
AI 詳解
AI 專屬家教

【考點分析】 本題測驗考生對共源極放大器中,因米勒電容 $C_{gd}$ 產生之右半平面零點 (Right-Half Plane Zero, RHP Zero) 的觀念與公式計算。 【理論/法規依據】

小題 (一)

(一)上3 dB頻率($f_H$)。(15 分)
題目圖片

思路引導 VIP

面對匹配的差動放大器並求高頻響應,首要動作是畫出「差動半電路 (Half-circuit)」。此半電路等同於一個帶有訊號源內阻 $R_{sig}$ 的共源極 (Common-Source) 放大器。接下來,可以使用「開路時間常數法 (Open-Circuit Time Constant, OCTC)」來估算主極點。此法要求我們分別求出各個寄生電容 ($C_{gs}, C_{gd}, C_{db}$) 所看出去的戴維寧等效電阻。其中 $C_{gd}$ 因為跨接在輸入與輸出之間,會受到米勒效應 (Miller Effect) 影響,其看入的等效電阻公式為 $R_{gd} = R_{sig} + R_L' + g_m R_{sig} R_L'$,這是計算的重點與易錯處。加總三個時間常數後,利用 $f_H = 1 / (2\pi \sum\tau)$ 即可求得答案。

🤖
AI 詳解
AI 專屬家教

【考點分析】 本題測驗差動放大器的半電路分析技巧,以及利用開路時間常數法 (OCTC) 或米勒等效定律評估共源極放大器上 3dB 頻率 $f_H$ 的能力。 【理論/法規依據】

📝 同份考卷的其他題目

查看 114年[電信工程] 電子學 全題