免費開始練習
地特三等申論題 114年 [電力工程] 電子學

第 二 題

📖 題組:
三、圖三為一個基本的 NMOS 場效電晶體(Field Effect Transistor, FET)差動放大器(Differential Amplifier)電路,$Q_1$與$Q_2$完全匹配(Perfectly Match),輸入訊號為差動輸入形式。$Q_1$與$Q_2$的參數如下:$g_{m1} = g_{m2} = 2 \text{ mA/V}$,$C_{gs1} = C_{gs2} = 10 \text{ fF}$,$C_{gd1} = C_{gd2} = 2 \text{ fF}$,$C_{db1} = C_{db2} = 5 \text{ fF}$,$r_{o1} = r_{o2} = 15 \text{ k}\Omega$。電路部分,$R_{D1} = R_{D2} = 30 \text{ k}\Omega$,$R_{sig} = 25 \text{ k}\Omega$。請計算此電路的:
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (二)

零點(Zero)頻率。(5 分)
題目圖片

思路引導 VIP

要求解零點頻率,應聯想到共源極放大器中,由於跨接在閘極與汲極之間的 $C_{gd}$ 會產生一條「前饋路徑(Feedforward Path)」。當前饋電流與電晶體主通道電流($g_m V_{gs}$)大小相等、方向相反時,輸出信號互相抵消,即產生傳遞函數上的「零點」。套用高頻傳遞函數的零點公式 $s_z = g_m / C_{gd}$ 即可直接求得,需注意角頻率(rad/s)與頻率(Hz)的轉換。

🤖
AI 詳解
AI 專屬家教

【考點分析】 考查 MOSFET 放大器中,因寄生電容引起的前饋效應(Feedforward Effect)所導致的高頻零點(Zero)現象及計算公式。 【理論/法規依據】

小題 (一)

上3 dB頻率($f_H$)。(15 分)
題目圖片

思路引導 VIP

看見差動放大器與高頻電容(如 $C_{gs}, C_{gd}, C_{db}$),這是一題標準的差模半電路高頻響應分析題。思考步驟:1. 將電路拆解成差模半電路(Half-Circuit)。2. 確認半電路為一共源極(Common-Source)放大器,找出輸入電阻($R_{sig}$)與輸出負載($R_D \parallel r_o$)。3. 利用米勒定理(Miller Effect)或開路時間常數法(Open-Circuit Time Constant, OCTC)來求極點。因為要求上 3dB 頻率,使用 OCTC 快速估算時間常數 $\tau_H = \tau_{in} + \tau_{out}$ 是最實用的方法。

🤖
AI 詳解
AI 專屬家教

【考點分析】 考查 MOSFET 差動放大器的高頻響應分析,以及運用米勒效應(Miller Effect)或開路時間常數法(OCTC)計算上 3dB 頻率 $f_H$。 【理論/法規依據】

📝 同份考卷的其他題目

查看 114年[電力工程] 電子學 全題