地特三等申論題
114年
[電子工程] 電子學
第 二 題
📖 題組：
三、圖三為一個基本的 NMOS 場效電晶體（Field Effect Transistor, FET）差動放大器（Differential Amplifier）電路，Q1與Q2完全匹配（Perfectly Match），輸入訊號為差動輸入形式。Q1與Q2的參數如下：gm1 = gm2 = 2 mA/V，Cgs1 = Cgs2 = 10 fF，Cgd1 = Cgd2 = 2 fF，Cdb1 = Cdb2 = 5 fF，ro1 = ro2 = 15 kΩ。電路部分，RD1 = RD2 = 30 kΩ，Rsig = 25 kΩ。請計算此電路的：
三、圖三為一個基本的 NMOS 場效電晶體（Field Effect Transistor, FET）差動放大器（Differential Amplifier）電路，Q1與Q2完全匹配（Perfectly Match），輸入訊號為差動輸入形式。Q1與Q2的參數如下：gm1 = gm2 = 2 mA/V，Cgs1 = Cgs2 = 10 fF，Cgd1 = Cgd2 = 2 fF，Cdb1 = Cdb2 = 5 fF，ro1 = ro2 = 15 kΩ。電路部分，RD1 = RD2 = 30 kΩ，Rsig = 25 kΩ。請計算此電路的：
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (二)
零點（Zero）頻率。（5 分）
思路引導 VIP
本題測驗對於寄生電容產生「零點（Zero）」機制的理解。
- 在共源極放大器結構中，C_gd 除了引發密勒效應影響極點外，更提供了一條由輸入（閘極）直接前饋（Feedforward）到輸出（汲極）的高頻交流路徑。
小題 (一)
上3 dB頻率（fH）。（15 分）
思路引導 VIP
本題探討全差動放大器的高頻響應。
- 因為電路完全對稱且給予純差動訊號（Vid），可採用「差動半電路分析法」（Half-Circuit Analysis）。