地特三等申論題
114年
[電子工程] 電子學
第 一 題
📖 題組：
二、有一個 pnp 雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）電路如圖二所示，電晶體Q1的 β = 100。當射極-基極接面（Emitter-Base, EB, Junction）為順向偏壓時，VEB恆等於 0.7 V，電路中V = 5 V，RB1 = 60 kΩ，RB2 = 40 kΩ，RC = 1 kΩ，RE = 3 kΩ。
二、有一個 pnp 雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）電路如圖二所示，電晶體Q1的 β = 100。當射極-基極接面（Emitter-Base, EB, Junction）為順向偏壓時，VEB恆等於 0.7 V，電路中V = 5 V，RB1 = 60 kΩ，RB2 = 40 kΩ，RC = 1 kΩ，RE = 3 kΩ。
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (一)
請計算VC = ？（10 分）
思路引導 VIP
本題為 PNP 型 BJT 的直流偏壓分析。
- 首先觀察基極（Base）電路，由 V、RB1、RB2 組成分壓網路，應利用戴維寧等效電路化簡基極端的偏壓（求出 V_BB 與 R_BB）。
小題 (二)
當VEB = 0.7 V（EB 接面順向偏壓）且VCB > 0.4 V時，電晶體Q1會進入飽和模式（Saturation Mode），若要讓Q1保持在主動模式（Active Mode），請問RC 的最大值為何？（10 分）
思路引導 VIP
本題探討 PNP BJT 主動區與飽和區的邊界條件。
- 主動區的定義是 E-B 接面順向偏壓，C-B 接面逆向偏壓。對 PNP 而言，飽和發生在 C-B 接面開始變成順向偏壓時。題目給定當 V_CB > 0.4V 時電晶體進入飽和模式。