地特三等申論題
114年
[電子工程] 電磁學
第 二 題
二、請詳述電磁場（包括電場強度、電通量密度、磁場強度、磁通量密度）在兩介質交界處的邊界條件：介質 1 為介電質 dielectric、介質 2 為介電質；介質 1 為介電質、介質 2 為完美導體。（30 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
這是一道標準的理論申論題，要求條列式寫出電磁場的邊界條件。題目明確要求分兩種情況討論，且四大場量（E, D, H, B）皆需說明。作答時，最好：1. 定義交界面的法向量方向（例如由介質2指向介質1）；2. 針對「介質/介質」的情況，列出切線分量與法線分量的連續性方程式，並說明表面電荷與表面電流的影響（理想介電質通常視為無自由電荷與電流）；3. 針對「介電質/完美導體」的情況，指出完美導體內場量皆為零，進而推導出介電質表面的邊界條件（存在表面電荷密度與表面電流密度）。
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【考點分析】 本題測驗馬克士威方程組（Maxwell's Equations）積分形式在不同介質交界面上推導出的邊界條件。必須熟悉法向量、切向量在電場、磁場中的連續與不連續關係。 【理論/法規依據】
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