統測
115年
[電機與電子群資電類] 專業科目(2)
第 13 題
📖 題組:
圖(五)( a )所示之 DRAM 41256 ( 256K x 1 位元)晶片,記憶單元示意如圖(五)( b )所示,其中 \(\overline{RAS}\) 為列位址控制接腳, \(\overline{CAS}\) 為行位址控制接腳, \(\overline{WE}\)=0時資料寫入記憶體,A0~A8 為 DRAM 位址線,Din 為資料輸入腳位,Dout 為資料輸出腳位。寫入時序圖如圖(五)( c )所示,其中 a0~a17是微處理機送出的定址信號。
圖(五)( a )所示之 DRAM 41256 ( 256K x 1 位元)晶片,記憶單元示意如圖(五)( b )所示,其中 \(\overline{RAS}\) 為列位址控制接腳, \(\overline{CAS}\) 為行位址控制接腳, \(\overline{WE}\)=0時資料寫入記憶體,A0~A8 為 DRAM 位址線,Din 為資料輸入腳位,Dout 為資料輸出腳位。寫入時序圖如圖(五)( c )所示,其中 a0~a17是微處理機送出的定址信號。
有關 DRAM進行資料刷新(Refresh )的時序圖,下列哪一個正確?
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A
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B
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C
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D