醫療類國考
115年
[醫事放射師] 放射線治療原理與技術學
第 42 題
關於血管內近接治療技術，下列敘述何者錯誤？
- A 使用密封射源為臨時性植入技術
- B 放射性支架為永久性植入技術
- C 通常需傳送15～20 Gy劑量至靶體積
- D 治療的劑量率至少需大於2 Gy/min
思路引導 VIP
思考近接治療的觀念時，我們通常如何根據放射物理規範來定義高劑量率（HDR）與低劑量率（LDR）的界線？若要避免治療時血流阻斷過久，劑量率的合理數量級大約是多少？
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AI 詳解
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恭喜你精準答對！這題考查臨床上用於預防血管支架內再狹窄（in-stent restenosis）的**血管內近接治療（intravascular brachytherapy, IVBT）**觀念，題目融合了植入型態、臨床劑量與物理參數，相當具有鑑別度。
血管內近接治療的核心觀念
在 IVBT 技術中，治療可透過導管傳送密封射源（sealed source）進行暫時性植入（如 $^{192}\text{Ir}$），或是利用放射性支架進行永久性植入（如 $^{32}\text{P}$）。其臨床目標劑量通常設定在血管壁深度 2 mm 處給予 15～20 Gy，因此選項 (A)、(B)、(C) 皆為正確敘述。
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