106年高考申論題 — 電子學

共 14 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、圖一電路 $V_{DD}=+5$ V，$R_D=4$ k$\Omega$，$R_{G1}=8$ k$\Omega$，$R_{G2}=4$ k$\Omega$… 3 小題 › 第二題 二、圖二中電晶體偏壓於主動區，其小訊號參數 $g_m$、$r_\pi$、$r_o$、$\beta = g_m r_\pi$為已知，$v_{sig}$為外加電壓訊… 3 小題 › 第三題 三、圖三中電晶體偏壓於飽和區，小訊號參數 $g_m = 2.4$ mA/V，$r_o = 10$ k$\Omega$，寄生電容 $C_{gs} = 5/\pi$… 3 小題 › 第四題 四、圖四(a)運算放大器開路增益 $A_v = v_i/v_s = 20$ V/V，其他特性均為理想；放大器 $A_a$之 $v_o$-$v_i$ 轉換曲線如圖… › 第五題 五、圖五反相器之高低電位輸入雜訊邊限（noise margin）分別定義為 $NM_H = V_{OH} – V_{IH}$與 $NM_L = V_{IL} – V_{OL}$… 3 小題 › 第其他題 忽略電晶體的通道調變效應（channel-length modulation effect），gm為電晶體的轉導（transconductance）。如下電路的… ›