108年地特三等申論題 — 半導體工程

共 9 題 · 含 AI 詳解

第一題 請回答下列問題： (一)製作半導體元件時為何須選擇正確的 Si 晶圓結晶面與結晶方向？其對元件特性會有什麼影響？請舉例說明。（15 分） (二)當太陽電池所在的… 2 小題 › 第二題 有一金-半二極體（M-S diode），設半導體端內部之雜質濃度呈線性漸變（linearly graded），即 $N_D = ax$，其中 a 為製程參數，試… 2 小題 › 第三題 請回答下列問題： (一)在 MOS 元件中，其氧化層內或氧化層與 Si 的介面處通常都會存在某些缺陷電荷（defect charge），例如氧化陷阱電荷（oxi… 2 小題 › 第四題 設有一理想的 Si MOS 電容，維持在 T= 300 K，其元件相關參數如下 1. 閘極材料為 p+多晶矽（其功函數ΦB=5.2 ev） 2. 基板為 n 型… 3 小題 ›