111年高考申論題 — 半導體工程

共 14 題 · 含 AI 詳解

第一題 請說明半導體材料晶體鑽石結構與閃鋅礦結構之差異，（5 分）閃鋅礦結構與六方晶系結構之異同。（10 分） 3 小題 › 第二題 請說明能隙之種類，（2 分）若製作成發光二極體應選那一種能隙？（3 分）為什麼？（5 分） › 第三題 對於超高效率 III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成，請問何謂磊晶？（2 分）欲得高品質之磊晶膜首要條件為何？（2 分）於多接面太陽能電池結構中… 3 小題 › 第四題 HEMT 元件是藉由那種方式得到 high electron mobility？（5 分）為何較傳統 MOSFET 更高速？（5 分） 4 小題 › 第五題 請畫出下圖 p、n 接觸之能帶圖，（5 分）請說明接觸後界面附近會發生何種現象？（5 分）此時此元件可否當電池使用，為什麼？（5 分） › 第六題 對於 p + n 二極體，其中 p+ 載子濃度為 NA，n 載子濃度為 ND。請問空乏區（W）主要發生在那一部分？（5 分）請寫出空乏區與載子濃度之關係式。（5… › 第七題 請計算面積為 4 μm2 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO2 電介質（介電常數 3.9），當施加電壓為 5 V 時，MOS 上存儲的電荷（10 分… ›