高考申論題
111年
[電子工程] 半導體工程
第 七 題
請計算面積為 4 μm2 的 MOS 電容對於 10 nm 厚的 SiO2 電介質（介電常數 3.9），當施加電壓為 5 V 時，MOS 上存儲的電荷（10 分）和電子數是多少？（10 分）
📝 此題為申論題
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這是一題純計算題，考驗基本電磁學與元件物理常數的換算能力。解題關鍵在於「單位轉換一致性」。
- 列出已知數值並轉換為標準單位（MKS制/SI制）：
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【考點分析】 本題為 MOS（金氧半）結構之基本電容計算題，主要考查平行板電容器公式、電荷與電壓的關係式，以及單位換算與基本物理常數之應用。 【理論/法規依據】
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