第 一 題

考生看到此題應立即聯想平行板電容的基本物理公式 C = εA/d。本題的鑑別度在於，除了處理題目給定的面積(A)與厚度(d)幾何比例外，考生必須具備半導體固態物理常識，自行引入 High-k 材料 Ta2O5 與傳統閘極介電層 SiO2 的「相對介電常數（εr）」，才能求出最終具體數值。

看到此題，首先聯想「平行板電容公式」與「多層介電層等效串聯模型」。疊層結構的總電容等於各層電容的串聯，即電容倒數相加。先推導出含有介電常數符號的比值通式，由於考題未給定常數數值，應主動代入半導體物理中常見的相對介電常數（如 SiO2約3.9，Si3N4約7.5，Ta2O5約22），以求得最終的精確比值，展現對元件物理參數的熟悉度。