114年地特三等申論題 — 半導體工程

共 22 題 · 含 AI 詳解

第一題 (一)能帶理論中，那一個參數可作為區分導體、半導體與絕緣體的依據？（5 分） 6 小題 › 第二題 (一)在半導體晶格中，載子具有那二種主要的傳輸機制？（4 分） 6 小題 › 第三題 三、在T = 300 K下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 Nd = 10^17 cm^-3，本質載子濃度為 ni = 1.5×10^10 cm^-3。若在… 4 小題 › 第四題 (一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分） 4 小題 › 第五題 五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ = 248 nm KrF以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種不同的曝光技術… 2 小題 ›