第 一 題

1 請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分） 95% 2 請分別說明：短通道效應（short-channel effect）及窄通道效應（narrow-channel effec… 94% 3 以短通道（short channel）的金氧半場效電晶體（MOSFET）為例，請說明短通道長度對臨界電壓的影響。（10… 94% 4 (二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分） 91% 5 如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分） 89% 6 六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect… 89% 7 以金氧半場效電晶體為例，請說明次臨界電流（subthreshold current）的定義。（10 分） 88% 8 加強型場效電晶體（Enhancement-Type Field-Effect Transistor）， 87% 9 空乏型場效電晶體（Depletion-Type Field-Effect Transistor）， 87% 10 (二)在金氧半場效電晶體模型（MOSFET model）有一表面遷移率（surface mobility），它和一般塊晶… 87%