地特三等申論題
114年
[電子工程] 半導體工程
第 二 題
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (二)
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
思路引導 VIP
針對前一題的短通道效應，如何從「源極與汲極（S/D）」的結構設計來改善？回想先進製程中常見的 S/D 工程，如：超淺接面（USJ）或暈環植入（Halo/Pocket Implant）。挑選一兩種詳述其抑制原理，並思考這種設計在電學特性上會帶來什麼負面影響（副作用，如寄生電阻增加）。建議作答時間 10 分鐘。
小題 (一)
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
思路引導 VIP
考查「短通道效應」對臨界電壓（Vt）的影響。切入點應為「電荷共享模型」。思考：當通道長度變短時，源極與汲極的空乏區佔據了原本屬於閘極應該控制的通道區域，這會使得反轉通道更容易形成（Vt 降低）。建議作答時間 5 分鐘。