高考申論題
106年
[電子工程] 半導體工程
第 三 題
三、對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體造成什麼影響？（10 分）
📝 此題為申論題
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看到「貫穿效應」，首先應聯想 BJT 的「基極寬度調變效應 (Early Effect)」，當逆偏電壓持續加大至極端，基極中性區寬度縮減至零即為此效應。答題時需從「物理機制（空乏區相接）」切入定義，接著從「電氣特性（電流失控、元件崩潰、限制操作電壓）」條理分明地論述其對元件造成的影響。
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【破題】 「貫穿效應（Punch Through Effect）」是指雙極性電晶體（BJT）在操作時，因集極逆偏電壓過大，導致基極（Base）的中性區寬度縮減至零的物理現象，為 BJT 的一種元件崩潰機制。 【論述】
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