106年高考申論題 — 半導體工程

共 10 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、請說明影響半導體移動率（Mobility）的兩種主要機制，並說明這兩種機制對半導體的溫度效應。（10 分） › 第二題 二、二極體（Diode）的理想順偏電流對電壓（I-V）特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c)，請說明這兩顆二極體… › 第三題 三、對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體造成什麼影響？（10 分） › 第四題 四、雙極性電晶體工作在高集極電流（IC）下，請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克效應（Kirk Effect）與準飽和效應（Quasi-Saturation）？… › 第五題 五、請分別說明下列 n-型通道元件的臨界電壓（Threshold Voltage，Vth）之定義，並說明其臨界電壓為正值或負值： 3 小題 › 第六題 六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）而言，何謂「氧化層… › 第七題 七、什麼是準費米能階（Quasi-Fermi Level）？它和費米能階（Fermi Level）有什麼不同？（10 分） › 第八題 八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trenc… ›