高考申論題
106年
[電子工程] 半導體工程
第 八 題
八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）
📝 此題為申論題
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看到此題，應立即聯想到積體電路演進中「元件隔離技術」的世代交替。答題時需結構化對比 LOCOS 與 STI，重點強調 LOCOS 的「鳥嘴效應（Bird's Beak）」如何限制了元件微縮，而 STI 又是如何利用「溝槽蝕刻與 CMP 平坦化」解決平坦度與面積問題，從而主導深次微米以下的先進製程。
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【破題】在積體電路製造中，絕緣技術的目的在於隔離相鄰的元件（如 MOSFET），防止漏電流與寄生通道的產生。隨著製程微縮，隔離技術由早期的局部氧化（LOCOS）全面演進為淺溝槽絕緣（STI）。 【論述】 一、局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）
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