地特三等申論題
114年
[電子工程] 半導體工程
第 五 題
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ = 248 nm KrF以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
📝 此題為申論題
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這是一道 20 分的綜合論述題，考查半導體微影製程的演進史。論述應按技術演進展開：1. 光源演進（KrF -> ArF 193nm）。2. 浸潤式微影（Immersion，提升 NA）。3. 多重圖案化技術（Multiple Patterning，突破光學極限）。4. 極紫外光（EUV，簡化製程）。把這四個階段串起來，並扣緊如何應用於 FinFET 的密集鰭片圖案製造。建議作答時間 10-15 分鐘。
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【考點分析】本題測驗考生對半導體微影技術發展脈絡的全面理解，特別是如何透過光源波長縮短、數值孔徑（NA）提升及圖案拆解等方式，突破雷利準則（Rayleigh Criterion）的解析度極限。 【理論/法規依據】雷利解析度公式：R = k1 * (λ / NA)；浸潤式微影原理；多重圖案化（Multiple Patterning）技術；EUV 微影技術。 【分析與論述】
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