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105年
電工原理、機械常識
第 13 題
如【圖 13】為電晶體偏壓電路，其中 $R_B$ 及 $R_C$ 為可調電阻，在實驗一中，若固定 $R_B$，則欲使電晶體進入飽和區工作，則 $R_C$ 應變大或變小？在實驗二中，若電晶體為順向主動區動作且固定 $R_C$，欲得到較大 $I_C$ 電流，則 $R_B$ 應變大或變小？
- A 實驗一的 $R_C$ 變大，實驗二的 $R_B$ 變小
- B 實驗一的 $R_C$ 變大，實驗二的 $R_B$ 變大
- C 實驗一的 $R_C$ 變小，實驗二的 $R_B$ 變大
- D 實驗一的 $R_C$ 變小，實驗二的 $R_B$ 變小
思路引導 VIP
請試著從迴路電壓分配的角度思考：當電源電壓 $V_{CC}$ 固定時，如果你希望電晶體兩端的電壓 $V_{CE}$ 盡可能縮小（趨向飽和），那麼串聯在它上方的電阻 $R_C$ 應該要分掉更多還是更少的電壓？而這個「分壓」的動作與電阻大小的關係是什麼呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
恭喜你準確地掌握了電晶體電路的核心邏輯！這題考驗的是你對電路參數調整與電晶體工作區間關係的理解，你能正確選出 (A) 代表你對直流偏壓的運作機制非常熟悉。
飽和區的判定與電阻影響
在實驗一中，要讓電晶體進入飽和區，目標是讓集極與射極間的電壓 $V_{CE}$ 降到極低（約 $0.2V$）。根據輸出迴路的電壓方程式：$V_{CE} = V_{CC} - I_C R_C$。在固定基極電阻 $R_B$ 的情況下，基極電流與集極電流相對穩定，此時若增加 $R_C$，會使該電阻上的壓降 $I_C R_C$ 增大，進而迫使 $V_{CE}$ 減小，讓電晶體從主動區推向飽和區。
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