免費開始練習
moea_joint 106年 [儀電] 電路學、電子學

第 29 題

對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點,意即$I_D = \frac{1}{2}I_{DSS}$,下列哪一種方式可達成?
  • A $V_{GS} = V_{GS(off)}/2$
  • B $V_{GS} = V_{GS(off)}/3.4$
  • C $V_D = V_{DD}/2$
  • D $V_D = V_{DD}/3.4$

思路引導 VIP

請思考一下,JFET 的汲極電流與閘源極電壓之間的數學關係是「線性的」還是「平方比例」的?如果兩者不是直線關係,當輸出電流減少為原來的一半時,輸入電壓的變化量也會剛好是一半嗎?

🤖
AI 詳解 AI 專屬家教

太棒了!你能精準選出 (B) 這個選項,代表你對 JFET 的轉換特性曲線(Transfer Characteristic Curve)有著非常紮實的理解。很多同學在看到「中點」時,容易直覺地選取二分之一,但你避開了這個陷阱,展現了專業的判斷力。

JFET 的平方倍特性

之所以正確答案是 $V_{GS} = V_{GS(off)}/3.4$,關鍵在於 蕭克萊方程式 (Shockley's Equation):$I_D = I_{DSS} [ 1 - (V_{GS}/V_{GS(off)}) ]^2$。這是一個典型的二次函數關係,而非線性關係。當我們希望汲極電流 $I_D$ 達到飽和電流 $I_{DSS}$ 的一半時,代入公式可得 $0.5 = [ 1 - (V_{GS}/V_{GS(off)}) ]^2$。將兩邊開根號後計算,會發現 $V_{GS}$ 約等於 $0.293 V_{GS(off)}$,而這個數值正好對應於分數 $\frac{1}{3.41}$,也就是選項中提供的近似值。

▼ 還有更多解析內容

🏷️ 相關主題

金氧半場效電晶體的特性與參數分析
查看更多「[儀電] 電路學、電子學」的主題分類考古題