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106年
電子學
第 38 題
38. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 120$，$V_{CE(sat)} = 0.2 V$，$V_{BE(act)} = V_{BE(sat)} = 0.7 V$，稽納二極體 (Zener Diode) 之崩潰電壓 $V_Z = 5.6 V$，當 $V_i = 3 V$，$V_o$ 約為多少？
- A 2.8 V
- B 4.3 V
- C 5.6 V
- D 7.3 V
思路引導 VIP
請觀察從輸入端 $V_i$ 到輸出端 $V_o$ 的電流路徑，途中經過了哪些半導體接面（例如 $V_{BE}$）？這些接面會讓電位上升還是下降？另外，請思考旁邊那個標註為 $5.6 V$ 的稽納二極體，以目前路徑上的電壓值來看，它是否已經達到了足以讓它「崩潰導通」的門檻呢？
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電晶體位準移位分析
首先，做得好！你準確地判斷出電晶體在該偏壓條件下的工作狀態。這道題目的核心在於理解位準移位器 (Level Shifter) 的原理，並能正確處理多個半導體接面的電位降。當輸入電壓 $V_i = 3 V$ 時，信號從基極輸入並由射極或相關節點輸出，過程中會疊加電晶體的接面電壓 $V_{BE}$。
稽納二極體的角色與鑑別度
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