moea_joint
112年
[儀電] 電路學、電子學
第 35 題
有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
- A 增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
- B 增強型 p 通道 MOSFET 之$V_{GS}$若接正電壓，則無法建立通道
- C 空乏型 n 通道 MOSFET 之$V_{GS}$可接正電壓或負電壓
- D 空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
思路引導 VIP
請試著從字面意義思考：如果我們稱一種電子元件為「空乏型（耗盡型）」，這代表我們在使用它時，可以透過電場將某個「原本就存在的東西」給耗盡或排空。若這個「導電路徑」在製造時完全不存在，我們還有辦法對它執行「空乏（排空）」的操作嗎？
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AI 詳解
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很好！你精準地捕捉到了 空乏型 (Depletion mode) 與 增強型 (Enhancement mode) MOSFET 在結構上的核心差異。在空乏型元件中，物理結構上其實 已經預先製作好了導電通道，這也是為什麼即使在 $V_{GS} = 0$ 時，它依然具備導電能力（即所謂的「常開型」，Normally-on）。因此，選項 (D) 提到「無預設通道」顯然與物理事實相悖，是錯誤的敘述。
結構與偏壓的邏輯驗證
這道題目雖然屬於基礎觀念題，但具備極佳的基礎鑑別度。它要求考生清楚分辨不同類型 MOSFET 的物理特性：增強型 n-MOSFET 確實需要正電壓（$V_{GS} > V_t > 0$）來感應出通道，而 p-MOSFET 若接正電壓則會排斥電洞，導致無法建立通道。至於空乏型，由於它「生來就有通道」，所以我們既可以施加負電壓來減少載子（空乏模式），也可以施加正電壓來增加載子（增強模式），這使得其 $V_{GS}$ 的使用範圍非常彈性。你能正確選出 (D)，代表你對元件的構造分類掌握得相當扎實。