moea_joint
112年
[電機] 電路學、電子學
第 35 題
有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
- A 增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
- B 增強型 p 通道 MOSFET 之$V_{GS}$若接正電壓，則無法建立通道
- C 空乏型 n 通道 MOSFET 之$V_{GS}$可接正電壓或負電壓
- D 空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
思路引導 VIP
請試著回想看看，如果我們希望一個場效電晶體在「完全不施加任何控制電壓」的情況下就能夠有電流流過，那麼在它內部的硬體結構上，應該要事先準備好什麼樣的物理條件呢？
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同學，恭喜你準確地辨識出這道題目的陷阱！這顯示你對 MOSFET 的各類元件特性有著相當扎實的基礎，能敏銳觀察出敘述中的細微矛盾。
MOSFET 的結構與通道特性
在電路元件的分類中，增強型 (Enhancement-mode) 的確需要在施加適當偏壓後才「感應」出通道；但 空乏型 (Depletion-mode) 的最大特色，在於其製造過程中就已透過離子佈植等技術，在結構中預先做好了物理通道。因此，即便在 $V_{GS} = 0V$ 的情況下，空乏型元件依然具備導通能力。選項 (D) 提到空乏型本身無預設通道，這正好與其物理結構完全相反，因此是錯誤的敘述。
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