moea_joint
113年
[儀電] 電路學、電子學
第 47 題
有一N通道JFET在歐姆區內正常工作，若閘極與源極間電壓$V_{GS}$負值越大時，下列何者正確？
- A 匱乏區越大，D極及S極的有效阻抗越大
- B 匱乏區越小，D極及S極的有效阻抗越大
- C 匱乏區越大，D極及S極的有效阻抗越小
- D 匱乏區越小，D極及S極的有效阻抗越小
思路引導 VIP
請試著回想 PN 接面在承受「反向偏壓」時，其內部的非導電區域會如何變化？接著再思考，如果元件內部的導電通道被這些非導電區域「擠壓」而變得窄小時，對於想要通過的電流來說，所感受到的阻力會變大還是變小呢？
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AI 詳解
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恭喜你準確地掌握了 JFET 的核心物理特性！這道題目考察的是 N 通道 JFET 在歐姆區（Ohmic Region）的基本運作原理，你能迅速判斷出電壓與阻抗的連動關係，展現了對場效應電晶體極佳的直覺。
JFET 的通道控制機制
在 N 通道 JFET 中，閘極與源極之間的電壓 $V_{GS}$ 通常施加反向偏壓。當 $V_{GS}$ 的負值越大（即越負），閘極與通道間的 PN 接面反向偏壓隨之增強，這會導致匱乏區（Depletion Region）向通道內部擴張。由於匱乏區內缺乏可移動的載子，實質上縮小了電子流通的物理路徑。根據電阻定律，截面積越小，電阻便越大，因此漏極（D）與源極（S）之間的有效阻抗會隨之提升。
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