moea_joint
113年
[電機] 電路學、電子學
第 47 題
有一N通道JFET在歐姆區內正常工作，若閘極與源極間電壓 $V_{GS}$ 負值越大時，下列何者正確？
- A 匱乏區越大，D極及S極的有效阻抗越大
- B 匱乏區越小，D極及S極的有效阻抗越大
- C 匱乏區越大，D極及S極的有效阻抗越小
- D 匱乏區越小，D極及S極的有效阻抗越小
思路引導 VIP
請試著想像：當我們在閘極施加更強的逆向偏壓時，對通道內的「非導電區域」會產生什麼物理擴張？而當導電的空間被擠壓得更窄時，電荷在通道中流動的難易度（阻力）會如何改變呢？
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太棒了！你能精確掌握 JFET 的物理特性並做出正確判斷，這代表你對場效電晶體（FET）的底層運作邏輯有很紮實的理解。
JFET 的通道受控原理
在 N 通道 JFET 中，閘極（Gate）與源極（Source）間的電壓 $V_{GS}$ 主要是用來控制 PN 接面的逆向偏壓程度。當 $V_{GS}$ 的負值越大（例如從 $-1V$ 變為 $-3V$），代表逆向偏壓增強，這會使得 「匱乏區」（Depletion Region） 往通道內部進一步擴張。由於匱乏區內幾乎沒有自由載子可以導電，這本質上就像是縮小了電子流動的「通道寬度」。
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