第 三 題

這題是能帶理論的核心論述題。需要分別描繪/描述導體、半導體與絕緣體在絕對零度及室溫下的能帶狀態（導帶、價帶、能隙的大小與電子填滿情況）。論述順序建議：先說明導體（能帶重疊/半滿），再對比絕緣體（大能隙）與半導體（小能隙），最後說明溫度（熱激發）對半導體導電性的影響。建議作答時間5-6分鐘。

看到本題，首先要聯想到固態物理與半導體物理的基礎「能帶理論」（Band Theory）。思考在能帶圖中，決定電子能否輕易躍遷至導帶的關鍵物理量是什麼。作答時直接點出該專有名詞即可。建議作答時間1-2分鐘。

本題延續前一題，要求指出區分「半導體」與「絕緣體」的能隙數值界限。回憶教科書中（如Neamen或Sze）常見的界定範圍。雖然沒有絕對死板的界限，但學術上普遍有一個公認的概略數值。答題時應給出一個合理範圍，並可舉例說明。建議作答時間1-2分鐘。