第 二 題

題目強調「實際的」矽 p-n 接面二極體，且在「順偏」狀態。回想理想二極體方程式中的電流成分，再考慮「實際元件」中額外產生的非理想電流成分（通常與空乏區有關）。將這些主要成分列舉出來。建議作答時間3-4分鐘。

考驗對半導體中載子運動基本機制的認識。思考載子在半導體中移動，一種是因為「外加電場」引起的移動，另一種是因為「濃度梯度」引起的移動。直接寫出這兩種機制的專有名詞。建議作答時間1-2分鐘。

延續上一小題，針對列出的電流成分，分別詳述它們是「如何產生」的。擴散電流要結合「順偏降低位能障壁」及「少數載子注入」來解釋；復合電流則要說明在空乏區內載子的動態（SRH復合）。建議時間配置：兩種機制各花 3 分鐘論述。