地特三等申論題
114年
[電子工程] 電子學
第 一 題
📖 題組：
五、有一個 NMOS 邏輯電路如圖五所示，其中電晶體Q1、Q2與Q3的臨界電壓（Threshold Voltage）分別為Vt1 = Vt2 = Vt3 = 1 V，(W/L)2 = (W/L)3 = 4(W/L)1，VDD = 5 V，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應（Body Effect）。請計算：
五、有一個 NMOS 邏輯電路如圖五所示，其中電晶體Q1、Q2與Q3的臨界電壓（Threshold Voltage）分別為Vt1 = Vt2 = Vt3 = 1 V，(W/L)2 = (W/L)3 = 4(W/L)1，VDD = 5 V，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應（Body Effect）。請計算：
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (一)
vA = vB = 0 V時，vO = ？（10 分）
思路引導 VIP
本題為 NMOS 邏輯閘（虛擬 NMOS / 增強型負載 NOR 閘）的大型 NOR 閘）的直流位準分析。
- 首先辨識元件角色：Q2 和 Q3 互相並聯，是輸入驅動級（Driver）；Q1 的閘極與汲極相連（Diode-connected），接在 VDD 上，是作為主動負載（Active Load）。
小題 (二)
vA = 5 V，vB = 0 V時，vO = ？（10 分）
思路引導 VIP
本題計算 NMOS 邏輯閘在輸入為邏輯高準位時的輸出位準（即 V_OL 低準位輸出）。
- 狀態判斷：輸入 vB = 0V，所以 Q3 仍然截止。輸入 vA = 5V，遠大於 Vt=1V，所以 Q2 導通。