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[電子工程] 半導體工程 — 主題練習
📚 [電子工程] 半導體工程
雙極性接面電晶體(BJT)之特性與效應分析
12
道考古題
7
個年度
112年 (2)
111年 (2)
110年 (2)
108年 (2)
107年 (1)
106年 (2)
105年 (1)
📝 歷屆考古題
112年 高考申論題
第一題
請敘述「基極寬度調變效應(base width modulation effect)」,並說明其對於BJT 輸出電導(go)之影響。(10分)
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112年 高考申論題
第二題
請敘述「高注入效應(high injection effect)」,並說明其對於BJT 共射極電流增益(β)之影響。(10分)
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111年 高考申論題
第一題
對一 npn 雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT),若基極濃度由射極-基極接面(emitter-base junction)朝向基極-集極接面(base…
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111年 高考申論題
第二題
對一 npn 雙極性接面電晶體,通常電流增益(β)是一常數,但是它在低集極電流(IC)與高集極電流區域都會呈現減少的趨勢。請說明為什麼會減少的原因?
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110年 高考申論題
第一題
對一工作於主動模式(active mode)的 npn 雙極性電晶體,假設基極對射極的偏壓為 VBE,基極寬度為 WB,WB 遠小於電子的擴散長度,且電子在基極的擴散係數為 Dn,電子電荷為 q。今電…
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110年 高考申論題
第二題
通常較高值的厄利電壓(Early voltage, VA)可以得到較高值的電壓增益。如果我們以下列三種方式設計雙極性電晶體以增加厄利電壓:1. 增加基極寬度,2. 增加基極濃度,3. 減少集極濃度,請…
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108年 高考申論題
第一題
(一) 說明此低濃度的薄層基極對電晶體的高頻響應有何影響?
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108年 高考申論題
第二題
(二) 當 npn 雙極性電晶體工作在高集極電流情況下會產生科克效應(Kirk effect),請說明此科克效應對電晶體高頻響應的影響。
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107年 高考申論題
第七題
「基極寬度調變(base width modulation)效應」為雙極性電晶體(bipolar transistor)非理想效應之其一,請說明導致此效應之原因及其對於電晶體共射極輸出特性曲線(IC…
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106年 高考申論題
第三題
三、對於雙極性電晶體而言,何謂「貫穿效應(Punch Through Effect)」?它會對電晶體造成什麼影響?(10 分)
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106年 高考申論題
第四題
四、雙極性電晶體工作在高集極電流(IC)下,請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克效應(Kirk Effect)與準飽和效應(Quasi-Saturation)?(10 分)
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105年 高考申論題
第四題
請敘述雙極性接面電晶體(BJT)擁有電流放大能力之主因。(15 分)
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