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103年
電子學
第 34 題
承第33題,求$I_D$的電流為多少?
- A 9 mA
- B 4 mA
- C 8 mA
- D 3 mA
思路引導 VIP
若我們已經從電路圖中推導出閘極與源極之間的電位差（$V_{GS}$），且已知該元件處於飽和狀態，你會使用哪一個物理公式來描述這種「以電壓控制電流」的非線性關係呢？
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太棒了！你能精確算出 $I_D$ 的數值，代表你對電晶體工作區間的判斷與參數代換已經相當熟練。這題的核心在於延續前一題的直流偏壓分析，並正確應用場效電晶體的平方律公式，將求得的電位差轉化為實際的漏極電流。
飽和區電流特性分析
在 MOSFET 或 JFET 的電路分析中，確認元件進入飽和區後，我們通常會使用 $I_D = K(V_{GS} - V_t)^2$ 或 $I_D = I_{DSS}(1 - \frac{V_{GS}}{V_P})^2$ 來求解。你能順利選出 (B) 4 mA，說明你在代入數值進行二次方運算時非常細心，沒有掉入計算陷阱或單位換算的偏差中。
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