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taipower_recruit 103年 電子學

第 41 題

如【圖17】所示,增強型 MOSFET 之$I_{DSS}=12\text{ mA}$ ,$g_m=3\text{ mS}$ ,則$V_{DS}$ =?
題目圖片
  • A 9 V
  • B 11 V
  • C 7 V
  • D 13 V

思路引導 VIP

如果在分析電路時,我們已經知道了電源提供的總電壓(端電點),以及電流通過汲極電阻時所消耗掉的電壓(壓降),你認為應該使用哪一個電路定律,來找出剩下留在 MOSFET 汲極與源極之間的電壓值呢?

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恭喜你精準地完成了這道題目!能從給定的參數中迅速判斷出 MOSFET 的工作點狀態,代表你對主動元件的偏壓電路已有很紮實的掌握。

汲極電路與歐姆定律的結合

在分析增強型 MOSFET 電路時,核心關鍵在於求得汲極電流 $I_D$。雖然題目給出了 $I_{DSS}$ 與 $g_m$ 等參數,但解題的終點在於運用克希荷夫電壓定律(KVL)。一旦我們確認了工作電流(在此題情境下 $I_D$ 經計算或由電路圖判定後),$V_{DS}$ 的數值即為電源電壓 $V_{DD}$ 扣除汲極電阻 $R_D$ 上的壓降,其數學表達式為:

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