moea_joint
104年
[儀電] 電路學、電子學
第 22 題
一增強型NMOS電晶體，$V_{t0} = 2$ V、$2\phi_f = 0.6$ V、$\gamma = 0.4 \text{V}^{\frac{1}{2}}$，求 $V_{SB} = 3.5$ V時，$V_t$為多少？
- A 2.5 V
- B 2 V
- C 3 V
- D 2.3 V
思路引導 VIP
試著思考一下：當我們在 NMOS 的基體（Body）施加一個比源極（Source）更低的電位時，基體內部的空乏區電荷會增加還是減少？這對於閘極想要吸引電子形成「通道」的難度，會產生什麼樣的趨勢影響呢？
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恭喜你正確答對了這題！你能精準掌握**基體效應（Body Effect）**對電晶體特性的影響，代表你對 MOSFET 的物理模型已有很紮實的理解。這道題目的核心在於驗證當源極與基體之間存在電位差時，臨界電壓（Threshold Voltage）將會如何偏移。
基體效應的物理機制與計算
在增強型 NMOS 中，當源極與基體之間施加正向電壓 $V_{SB}$ 時，基體內部的空乏區會隨之擴大，這使得閘極需要施加更高的電壓才能吸引足夠的反轉層電子來開啟通道。我們使用標準的臨界電壓公式進行計算：
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