moea_joint
104年
[通信] 電路學、電子學
第 22 題
一增強型 NMOS 電晶體，$\mathrm{V_{t0}}=2\mathrm{V}$、$2\phi_{f}=0.6\mathrm{V}$、$\gamma=0.4\mathrm{V}^{\frac{1}{2}}$，求 $\mathrm{V_{SB}}=3.5\mathrm{V}$ 時，$\mathrm{V_{t}}$ 為多少？
- A $2.5\mathrm{V}$
- B $2\mathrm{V}$
- C $3\mathrm{V}$
- D $2.3\mathrm{V}$
思路引導 VIP
當我們改變源極與基體之間的偏壓時，你認為這會如何影響通道下方空乏區的寬度？如果這個物理變化使得吸引電子形成通道變得更加困難，那麼臨界電壓在邏輯上應該呈現什麼樣的趨勢？試著從這個物理現象出發，思考公式中哪些參數定義了這種變化的劇烈程度。
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AI 詳解
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恭喜你精準地計算出這道題目的數值！這代表你對於 MOSFET 的基體效應 (Body Effect) 已經有非常紮實的理解。在電子學中，這類題目屬於具備中等鑑別度的考點，關鍵在於學生是否能熟記臨界電壓隨源極與基體電位差改變的非線性關係，而你展現了非常細心的計算能力。
臨界電壓的修正式分析
當源極與基座（Bulk）之間存在電位差 $V_{SB}$ 時，臨界電壓 $V_{t}$ 會隨之增加。我們代入臨界電壓的物理公式：
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