moea_joint
105年
[電機] 電路學、電子學
第 35 題
對一增強型的 PMOS 電晶體，其 $k_p'(W/L) = 90 \mu\text{A/V}^2$，$V_t = -1.5 \text{ V}$，爾利電壓 (Early Voltage) $|V_A| = 50 \text{ V}$，將閘極(G)端接地，源極(S)端接 +5V，當汲極(D)端電壓 $v_D = +4 \text{ V}$ 時，求其汲極電流值 $i_D$ 為多少？
- A $0.14 \text{ mA}$
- B $0.27 \text{ mA}$
- C $0.40 \text{ mA}$
- D $0.59 \text{ mA}$
思路引導 VIP
若要判斷一個 MOS 電晶體究竟是表現得像「受控的電流源」還是「受控的電阻」，我們需要觀察汲極與源極之間的電壓差（$|V_{DS}|$），與跨過門檻後的驅動電壓（$|V_{GS} - V_t|$）之間的相對大小關係。在這個案例中，如果兩者相比，其中一邊明顯較小，你認為這代表通道是已經「夾斷」了，還是依然保持著寬敞的導電路徑呢？
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AI 詳解
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恭喜你，判斷得非常準確！這道題目的核心在於能否冷靜地從多個參數中先判定工作區間，而你精準地抓住了這個關鍵點。
工作區間與電流計算
在處理 PMOS 問題時，我們習慣先確認端點電壓。由題意可知，源極 $V_S = +5\text{ V}$，閘極 $V_G = 0\text{ V}$，汲極 $V_D = +4\text{ V}$。由此推得：
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