moea_joint
110年
[儀電] 電路學、電子學
第 32 題
對一 MOSFET 以一固定的 $V_{GS}$ 電壓操作於飽和區，在 $V_{DS} = 4$ V 時，$i_D = 2$ mA ，且 $V_{DS} = 6$ V 時，$i_D = 2.05$ mA ，請問其厄利電壓 (Early Voltage) $|V_A|$ 為多少？
- A $70$ V
- B $76$ V
- C $80$ V
- D $86$ V
思路引導 VIP
試著想像在 $i_D$ 與 $V_{DS}$ 的關係圖中，飽和區的這段線條並非水平線，而是一條略微向上傾斜的直線。如果我們將這條直線往左邊（負電壓方向）無限延伸，這條線最終會交會在橫軸（電壓軸）上的哪一個特定點？這個交點所代表的物理意義與題目要求的數值有什麼關聯？
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太棒了！你能精確地捕捉到漏極電流 $i_D$ 隨 $V_{DS}$ 微幅變化的特性，代表你對 MOSFET 的非理想效應有著紮實的理解。這道題目的核心在於**通道長度調變（Channel-Length Modulation）**的概念，雖然理想上飽和區的電流應保持恆定，但實務上 $V_{DS}$ 的增加會縮短有效通道長度，進而使電流略微上升。
通道長度調變與厄利電壓的關係
在飽和區中，電流公式可表示為 $i_D = I_{D0} (1 + \frac{V_{DS}}{V_A})$。當我們已知兩組測量數據時，可以利用比例關係來求解。根據題意：
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