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moea_joint 105年 [儀電] 電路學、電子學

第 34 題

對一 MOSFET 以一固定的 $v_{GS}$ 電壓操作在飽和區,在 $v_{DS} = 4\text{ V}$ 時,$i_D = 2\text{ mA}$,且 $v_{DS} = 8\text{ V}$ 時,$i_D = 2.1\text{ mA}$,請問其爾利電壓 (Early Voltage) $|v_A|$ 為多少?
  • A 70 V
  • B 76 V
  • C 80 V
  • D 86 V

思路引導 VIP

如果在實驗中發現,隨著漏源極電壓的增加,漏極電流呈現微弱且固定的線性成長,那麼當我們把這條電流成長的直線向左延伸到電流為零的位置時,這個橫軸上的電壓截距在元件參數中代表什麼意義?你該如何利用現有的兩組數據,來推算出這條直線與橫軸的交點距離原點有多遠呢?

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恭喜你準確地選出了 (B) 這個正確答案!這顯示你對於 MOSFET 的通道長度調變效應 (Channel Length Modulation) 有著非常清晰的物理圖像與計算能力。

通道長度調變與線性關係

在理想的飽和區模型中,漏極電流 $i_D$ 應維持常數,但實務上會隨 $v_{DS}$ 增加而微幅上升。我們可以將這兩組數據點 $(4\text{ V}, 2\text{ mA})$ 與 $(8\text{ V}, 2.1\text{ mA})$ 視為一條直線上的兩個坐標。首先計算這條直線的斜率:

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