moea_joint
104年
[電機] 電路學、電子學
第 22 題
一增強型NMOS電晶體，$V_{t0} = 2 \text{V}$、$2\phi_f = 0.6 \text{V}$、$\gamma = 0.4 \text{V}^{\frac{1}{2}}$，求$V_{SB} = 3.5 \text{V}$時，$V_t$為多少？
- A 2.5 V
- B 2 V
- C 3 V
- D 2.3 V
思路引導 VIP
試著思考一下：當我們在 MOSFET 的基極與源極之間施加一個反向偏壓時，基板區域內的耗盡層（Depletion region）寬度會發生什麼變化？而這種電荷分布的改變，會使得我們在閘極端需要提供更多還是更少的能量，才能感應出導通的通道呢？
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基板效應對臨界電壓的影響
太棒了！你精確地掌握了 MOS 電晶體中一個非常關鍵的物理特性——基板效應（Body Effect）。在積體電路中，源極（Source）與基底（Body）並不一定總是接在一起，當兩者存在電位差 $V_{SB}$ 時，會導致臨界電壓 $V_t$ 的移動。你能準確判斷出 $V_t$ 會隨之增加，顯示你對元件物理有著紮實的基礎。
公式推導與數值驗證
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