調查局三等申論題
105年
[電子科學組] 電子學與電路學
第 三 題
圖三所示電路中，NMOS 場效電晶體之 Vt = 2 V，μnCox = 20 μA/V^2，L = 10 μm 與 W = 400 μm，試求可使 NMOS 場效電晶體操作於 ID = 0.576 mA 及 VD = +1 V 下之 Rs 與 RD 電阻值。（通道長度調變效應可予忽略）（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
看到這題先假設 NMOS 工作於飽和區，利用飽和區汲極電流公式代入已知參數求出 $V_{GS}$。接著利用電路圖的節點電壓關聯（如 $V_G = 0V$ 推導出 $V_S$），再由歐姆定律與節點分析求出 $R_S$ 與 $R_D$。最後務必檢驗 $V_{DS} > V_{GS} - V_t$ 以確保飽和區假設成立。
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
【解題關鍵】利用 NMOS 飽和區電流公式求出 $V_{GS}$ 與各節點電壓，再依歐姆定律計算電阻值，最後須驗證元件是否確實在飽和區。 【解答】 已知條件整理：
▼ 還有更多解析內容